Nanocrystals inside : fabrication de composants mémoires MOS à base de nanocristaux de silicium
Abstract
Cet article présente une formation de courte durée, en salle blanche, donnant une approche pratique complète du concept « NANO-INSIDE » appliqué à la réalisation de mémoire de type FLASH par l’intégration de nanocristaux de silicium dans la technologie NMOS. Il aborde toutes les opérations de fabrication des circuits intégrés de type « mémoires », ainsi que leurs caractérisations à la fois matériaux et composants (électriques). In fine, le but est de montrer à un public étudiant comment une information peut être mémorisée avec des objets nanométriques de façon durable et conservée même sans alimentation.