Nanocrystals inside : fabrication de composants mémoires MOS à base de nanocristaux de silicium - INSA Toulouse - Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse Access content directly
Journal Articles Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes Year : 2014

Nanocrystals inside : fabrication de composants mémoires MOS à base de nanocristaux de silicium

Abstract

Cet article présente une formation de courte durée, en salle blanche, donnant une approche pratique complète du concept « NANO-INSIDE » appliqué à la réalisation de mémoire de type FLASH par l’intégration de nanocristaux de silicium dans la technologie NMOS. Il aborde toutes les opérations de fabrication des circuits intégrés de type « mémoires », ainsi que leurs caractérisations à la fois matériaux et composants (électriques). In fine, le but est de montrer à un public étudiant comment une information peut être mémorisée avec des objets nanométriques de façon durable et conservée même sans alimentation.
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Dates and versions

hal-01994620 , version 1 (25-01-2019)

Identifiers

  • HAL Id : hal-01994620 , version 1

Cite

Jérémie Grisolia, Gérard Benassayag, Régis Diaz, Ch. Duprat, Fabien Guérin, et al.. Nanocrystals inside : fabrication de composants mémoires MOS à base de nanocristaux de silicium. Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2014, 13, pp.0008. ⟨hal-01994620⟩
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