Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut TM - INSA Toulouse - Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse Access content directly
Journal Articles Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes Year : 2017

Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut TM

C. Rouhabi
  • Function : Author
T. Besombes
  • Function : Author
Reasmey Phary Tan
  • Function : Author
Fabien Guérin
  • Function : Author
C. Capello
  • Function : Author
F. Gessinn
  • Function : Author
Marc Respaud

Abstract

Nous présentons dans ce travail les études préliminaires dans le but de créer une nouvelle formation pratique en salle blanche sur la thématique de fabrication de substrats SOI (Silicium on Insulator). La méthode de fabrication est basée sur le procédé Smart-CutTM (Soitec/CEA-Leti). L’objectif de ces premiers travaux est de démontrer la faisabilité du procédé avec des wafers de taille réduite (2 pouces) dans un environnement loin des standards (en termes de propreté) normalement requis pour la réalisation du procédé. Le procédé comprend une première étape d’implantation d’ions H, puis une phase de collage moléculaire et d’activation de la fracture par recuit. Des taux de transfert de 80% à 90% ont été obtenus ouvrant la voie vers un enseignement sur la fabrication de SOI par le procédé Smart-CutTM.
No file

Dates and versions

hal-01982860 , version 1 (16-01-2019)

Identifiers

  • HAL Id : hal-01982860 , version 1

Cite

C. Rouhabi, T. Besombes, Reasmey Phary Tan, Fabien Guérin, C. Capello, et al.. Elaboration de couches minces de Silicium sur isolant (SOI) par le procédé Smart-Cut TM. Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2017, 16, pp.1011. ⟨hal-01982860⟩
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